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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: 600 V 40 A 场截止 IGBT42701-9¥47.653210-99¥44.9190100-249¥42.8879250-499¥42.5754500-999¥42.26291000-2499¥41.91142500-4999¥41.5989≥5000¥41.4036
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。25225-49¥16.707650-199¥15.9936200-499¥15.5938500-999¥15.49381000-2499¥15.39382500-4999¥15.27965000-7499¥15.2082≥7500¥15.1368
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH20N60SFDTU 单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚98095-49¥17.199050-199¥16.4640200-499¥16.0524500-999¥15.94951000-2499¥15.84662500-4999¥15.72905000-7499¥15.6555≥7500¥15.5820
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品类: IGBT晶体管描述: 600V ,开关电源II系列N沟道IGBT 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT952620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: 600V ,开关电源II系列N沟道IGBT 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT582810-99¥8.2680100-499¥7.8546500-999¥7.57901000-1999¥7.56522000-4999¥7.51015000-7499¥7.44127500-9999¥7.3861≥10000¥7.3585
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH50N6S2D 单晶体管, IGBT, 75 A, 2.7 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚20041-9¥72.668510-99¥69.5090100-249¥68.9403250-499¥68.4980500-999¥67.80291000-2499¥67.48692500-4999¥67.0446≥5000¥66.6655
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品类: IGBT晶体管描述: FGH40T65S 系列 650 V 40 A 法兰安装 场截止 Trench IGBT - TO-247-317285-49¥20.451650-199¥19.5776200-499¥19.0882500-999¥18.96581000-2499¥18.84342500-4999¥18.70365000-7499¥18.6162≥7500¥18.5288
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品类: MOS管描述: N沟道FREDFET N-Channel FREDFET66411-9¥52.216010-99¥49.2200100-249¥46.9944250-499¥46.6520500-999¥46.30961000-2499¥45.92442500-4999¥45.5820≥5000¥45.3680
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3Pin(3+Tab) TO-24713515-49¥21.539750-199¥20.6192200-499¥20.1037500-999¥19.97491000-2499¥19.84602500-4999¥19.69875000-7499¥19.6067≥7500¥19.5146
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品类: 二极管阵列描述: TURBOSWITCH超快速高压二极管 TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODES193210-99¥11.4000100-499¥10.8300500-999¥10.45001000-1999¥10.43102000-4999¥10.35505000-7499¥10.26007500-9999¥10.1840≥10000¥10.1460
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品类: MOS管描述: P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V243310-99¥6.1080100-499¥5.8026500-999¥5.59901000-1999¥5.58882000-4999¥5.54815000-7499¥5.49727500-9999¥5.4565≥10000¥5.4361
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFP140NPBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V66785-24¥6.142525-49¥5.687550-99¥5.3690100-499¥5.2325500-2499¥5.14152500-4999¥5.02785000-9999¥4.9823≥10000¥4.9140
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFP9140NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -23 A, -100 V, 117 mohm, -10 V, -4 V25175-24¥5.265025-49¥4.875050-99¥4.6020100-499¥4.4850500-2499¥4.40702500-4999¥4.30955000-9999¥4.2705≥10000¥4.2120
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V87945-24¥6.385525-49¥5.912550-99¥5.5814100-499¥5.4395500-2499¥5.34492500-4999¥5.22675000-9999¥5.1794≥10000¥5.1084
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics27785-49¥19.117850-199¥18.3008200-499¥17.8433500-999¥17.72891000-2499¥17.61452500-4999¥17.48385000-7499¥17.4021≥7500¥17.3204
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH12040WD_F155 单晶体管, IGBT, N通道, 80 A, 2.3 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚 新68391-9¥37.063610-99¥34.9370100-249¥33.3572250-499¥33.1142500-999¥32.87121000-2499¥32.59772500-4999¥32.3547≥5000¥32.2028
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品类: 双极性晶体管描述: 硅功率晶体管 Silicon Power Transistors187920-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFH110N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 V89981-9¥48.068010-99¥45.3100100-249¥43.2612250-499¥42.9460500-999¥42.63081000-2499¥42.27622500-4999¥41.9610≥5000¥41.7640
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品类: 二极管阵列描述: 高压功率肖特基整流器 HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER98075-49¥15.818450-199¥15.1424200-499¥14.7638500-999¥14.66921000-2499¥14.57462500-4999¥14.46645000-7499¥14.3988≥7500¥14.3312
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品类: MOS管描述: C3M0065090D 管装51411-9¥138.368010-49¥134.758450-99¥131.9910100-199¥131.0285200-499¥130.3066500-999¥129.34401000-1999¥128.7424≥2000¥128.1408
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品类: MOS管描述: Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率,并降低了冷却要求,以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换,具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管,Wolfspeed48671-9¥113.390010-99¥108.4600100-249¥107.5726250-499¥106.8824500-999¥105.79781000-2499¥105.30482500-4999¥104.6146≥5000¥104.0230
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD81271-9¥43.846810-99¥41.3310100-249¥39.4621250-499¥39.1746500-999¥38.88711000-2499¥38.56362500-4999¥38.2761≥5000¥38.0964
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品类: IGBT晶体管描述: 软开关系列 Soft Switching Series33685-49¥15.104750-199¥14.4592200-499¥14.0977500-999¥14.00741000-2499¥13.91702500-4999¥13.81375000-7499¥13.7492≥7500¥13.6846
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品类: 二极管阵列描述: Diode Schottky Diode 650V 20A 3Pin TO-247 Tube48991-9¥130.421510-49¥127.019250-99¥124.4108100-199¥123.5035200-499¥122.8230500-999¥121.91581000-1999¥121.3487≥2000¥120.7817
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品类: TVS二极管描述: Infineon **Infineon** 开关发射器控制二极管是快速 1和快速 2系列,还有 600V/1200V 超软二极管。 这些二极管可在各种应用中工作,如电信、UPS、焊接和交流-直流,超软型号可在高达 30kHz 的电动机驱动应用中工作 _**快速 1 **_二极管可在 18kHz 与 40kHz 之间切换 1.35V 温度稳定的正向电压 特别适用于功率因数校正 (PFC) 拓扑 **_快速 2 二极管_**可在 40kHz 与 100kHz 之间切换 低反向恢复电荷:正向电压比,确保 BiC 性能 短反向恢复时间 启动开关上低开启损耗 _**超快二极管**_ 600V/1200V 发射器控制技术 符合 JEDEC 标准 良好的 EMI 行为 低传导损耗 易于并联 ### 二极管和整流器,Infineon78345-49¥15.444050-199¥14.7840200-499¥14.4144500-999¥14.32201000-2499¥14.22962500-4999¥14.12405000-7499¥14.0580≥7500¥13.9920
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 150V 90A TO-247436520-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000